近日，我信息工程学院研究生陈冰同学收到将于12月在华盛顿召开的IEEE  International Electron Devices Meeting（IEDM 2011）组委会通知，其投稿的研究论文：“Physical Mechanisms of_Endurance Degradation_in TMO-RRAM ”（第一作者：陈冰，导师：康晋锋教授、刘晓彦教授）被大会录用。这是北京大学深圳研究生院首次作为第一作者单位在该国际会议上发表论文。该论文报道了基于过渡金属氧化物的阻变存储器的耐久性退化的物理机制，并提出了新的工作模式来改进器件的耐久特性。