代表性期刊：
[1]Z. Zheng, C. Huang, Y. Jin, M. Zhang, Y. Yan, D. Zhang, M. H. Wong, H. S. Kwok, andL. Lu*, and Y. Jin*,“ALD Al2O3-Engineered Schottky Barrier Interface for Amorphous Indium–Zinc Oxide,”IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 72, no. 9, pp. 5004-5010, Sept. 2025.
[2]J. Y. Fan, Z. D. Jiang, J. W. Liu, M. R. Liu, Y.H. Zhang, S. J. Yang, Z. H. Lv, X. Zheng, J. X. Li, Q. Li, K. C. Chang, X. W. Wang, Z. Y. Cai, S. D. Zhang, M, Zhang, Y. Yan, G. J. Li,L. Lu*,“Hydrogenation-Immune Oxide Semiconductor FETs via Heterointegration-Compatible Hydrogen Evacuation Layer,”IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM),San Francisco,Dec.2025.
[3]Z. Zheng, C. Huang, Y. Jin, M. Zhang, Y. Yan, D. Zhang, M. H. Wong, H. S. Kwok, andL. Lu*, “ALD Al2O3-Engineered Schottky Barrier Interface for Amorphous Indium–Zinc Oxide”,IEEE Trans. Electron Devices, vol. 72, no. 9, pp. 5004–5010, 2025.
[4]H. Yang, T. Y. Huang, W. G. Pan,L. Lu*, S. D. Zhang*,“Output breakdown characteristics of amorphous InGaZnO thin-film transistors at high gate voltage,”Applied Physics Letters, Volume 124, Issue 9, pp:093501, 2024.
[5]李吉业,杨欢,陆磊*, “高性能氧化物异质结薄膜晶体管的研究进展,”中国科技部高技术研究发展中心——中国基础科学, vol. 25, pp. 55–59, 2023.
[6]P.Wang, Y.Liu, Z.Xia, Y.Wang, X.Zhou, R.Shi, F.S.Y.Yeung, M.Wong, H.S.Kwok, S.Zhang,L.Lu*, “Self-Compensation Effect of Photo-Bias Instabilities in a-InGaZnO Thin-Film Transistors Induced by Unique Ion Migration,”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 69, no. 6, pp. 3206–3212, 2022.
[7]D. Zheng, F. Liu, J. Zhou, G. Li, X. Zhou, S. Zhang,L. Lu*, “Suppression of Nonideal Leakage Current in a-InGaZnO Schottky Diode with Edge Termination Structures,”Appl. Phys. Lett., vol. 121, no. 13, p. 132101, 2022.
[8]F. Liu, Y. Zhou, H. Yang, X. Zhou, X. Zhang, G. Li, M. Zhang, S. Zhang,L. Lu*, “Roles of Hot Carriers in Dynamic Self-Heating Degradation of a-InGaZnO Thin-Film Transistors.”IEEE Electron Device Lett., vol. 43, no. 1, pp. 40–43, 2021.
[9]H.Yang, T.Huang, X.Zhou, J.Li, S.Su,L.Lu*, S.Zhang*, “Self-Heating Stress-Induced Severe Humps in Transfer Characteristics of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors.”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 68, no. 12, pp. 6197–6201. 2021.
[10]J. Zhou, Y. Wang, X. Zhou, G. Li, Z. Xia, F. S. Y. Yeung, M. Wong, H. S. Kwok, S. Zhang,L. Lu*,“Reliable High-Performance Amorphous InGaZnO Schottky Barrier Diodes with Silicon Dioxide Passivation Layer,”IEEE Electron Device Lett., vol. 42, no. 9, pp. 3381–1341, 2021.
代表性专利：
[1]“双栅薄膜晶体管的结构及制造方法”，中国发明专利ZL 2020 11592482.6，2020年12月29日。
[2]“一种肖特基二极管及其制造方法”，中国发明专利ZL202210872263.6，2022年07月20日。
[3]“柔性薄膜晶体管阵列的结构及其制造方法”，中国发明专利ZL2020 11592468.6，2020年12月29日。
[4]“显示面板的屏内传感器件结构及显示装置”，中国发明专利ZL2020 11298874.1，2020年11月19日。
[5]“全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板”，中国实用新型专利ZL 2021 2 2197756.8，2021年09月13日。
[6]“用于有机发光二极管材料图案化气相沉积的荫罩、包括其的荫罩模块及制造荫罩模块的方法”，中国发明专利ZL2021 1 0516126.4，2021年05月12日。
[7]“High-Resolution Shadow Masks”，美国专利11,638,388 B2，2023年4月25日。
[8]“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY”，美国专利10,032,924，2018年7月24日。
[9]“Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors”，美国专利10,504,939 B2，2019年09月10日。
[10]“METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE”，美国专利9,960,281 B2，2018年05月01日。
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