• 王阳元院士

研究方向:
王阳元,男,1935年生。现任北京大学教授、博士生导师、中国科学院院士,北京大学微电子学研究院首席科学家,中国电子学会副理事长,《半导体学报》和《电子学报》(英文版)副主编,《微电子学科学丛书》主编。信息产业部科技委委员(电子),美国IEEE Fellow和英国IEE Fellow 和中国CIE Fellow等。

主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器,是我国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。提出了多晶硅薄膜"应力增强"氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,"对实践有重要的指导意义"。研究了多种硅化物薄膜及亚微米和深亚微米CMOS电路的硅化物/多晶硅复合栅结构;发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用;提出了SOI器件浮体效应模型和通过改变器件参量抑制浮体效应的工艺设计技术;领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统;90年代后期开始研究微机电系统(MEMS);近期又致力于研究亚纳米集成电路新器件结构、新工艺及其集成技术。创建了中芯国际集成电路制造有限公司,领导建设成功了我国第一条大型12英寸纳米级集成电路生产线。

近20多年来共培养了和正在培养近百名硕士、博士研究生和博士后研究人员。发表科研论文230多篇,出版著作7部,现有20项重大科技成果。获全国科学大会奖、国家发明二、三等奖、国家教委科技进步一等奖、光华科技基金一等奖等共19项国家级和部委级奖励。