• 林信南

  • 职称:副教授
  • 电话:0755-26032486;办公室:A-322
  • Email:xnlin@pkusz.edu.cn
研究方向:半导体器件(目前主要集中于CMOS器件、存储器件、功率器件)的结构、电路模型及电路仿真工具。

导师与研究领域、方向:

    林信南:半导体器件方向,国家973 A类课题负责人、深圳市首批基础研究杰出青年、深圳市海外高层次孔雀计划B类人才。

    1997年本科毕业于北京大学,并留校在微电子学研究所任助理工程师。1999年公派赴香港科技大学进修,2007年获香港科大微电子专业博士并返回北京大学深圳研究生院任讲师,2010年晋升副教授。

    已发表Sci/Ei收录论文130余篇,其中二十余篇发表在以IEEE TED、EDL为代表的国际电子器件领域顶级期刊上。获国际会议邀请报告多次,并受邀撰写2本专著章节。申请发明专利数十项并已获多项授权。提出双金属栅无结器件的文章曾于2015年进入ESI全球工程领域前1%高被引文章名单。 曾荣获2009年度深圳市创新奖高校类第一名,个人排名第二,第二届广东省“金博奖”创新突出贡献奖等。在校内曾获北京大学优秀班主任二等奖,北京大学深圳研究生院优秀教师,带领班级获北京大学优秀学风班等荣誉。

    在国内学术兼职方面:担任中国电工技术学会电气节能专委会副理事长兼秘书长、电力电子专委会理事;中国电源学会电子元器件专委会委员;深圳电气节能研究会副秘书长。曾荣获中国电工技术学会 “2010-2014先进学会工作者”。

    在国际学术兼职方面:创建IEEE电子器件与集成电路深圳分会并曾任首任主席,是IEEE TED, EDL,Materials today等多个行业内著名期刊的审稿人。长期担任IEEE EDSSC(电子器件与集成电路会议)技术委员会委员,并担任IEEE EDSSC 2017技术委员会联合主席。

在半导体器件方向内,近几年所带课题组的具体研究内容为:

1.  用于EDA的新型仿真方法、工具及器件SPICE模型
a)  纳米集成电路前沿器件结构与模型:FinFET、TFET(隧穿场效应管)、无结器件;
b)  新型存储器件结构与模型:PCRAM(相变存储器)、RRAM(阻变存储);
c)  新型可靠性与存储特性仿真方法、工具及模型方法。

2.  电力电子器件
a)  宽禁带材料GaN(氮化镓)、SiC(碳化硅)器件物理、结构与工艺;
b)  硅基IGBT器件结构与工艺。

作为第一负责人承担的代表性项目:
1.国家重大科学研究计划(973A类)课题:移动介质与高速缓存中的PCRAM消费性电子产品开发;
2.国家自然科学基金面上项目:相变存储器件OTS与OMS物理机理和模型研究;
3.国家自然科学基金青年基金:纳米FinFET器件的退化模型和失效机理研究;
4.广东省自然科学基金面上项目:沟道垂直不均匀性、线粗糙和随机掺杂对无结FinFET器件性能影响与模型研究;
5.深圳基础研究杰出青年基金:新能源产业共性核心技术——高速大功率IGBT新型原胞结构与制造工艺研发。

给有意向来本实验室同学的话:
    大学的根本目标是培养具有社会责任感独立思维能力的人。二者缺一不可,缺乏社会责任感的人,能力越大,对社会危害越大;缺乏独立思维能力的人,无论是人还是其工作都不具多大价值。
    你们来的目的是什么?如果是为了知识,电子图书馆或者google百度拥有最为丰富的知识,但很难直接用来解决问题;如果是为了技术,直接去公司会更有效率。用了人生中最黄金的几年来学校,本身就是无比巨大的投入,如果不能得到最优价值的回报,那这个投入就是失败,不如做出其它选择。而学校所能帮助你们获得的最大价值就是:提升独立思维能力,从而能发现新的价值所在,进而定位、定义并解决。
    传统意义上的好老师:告诉你人生经验,帮你找人生“捷径”,帮你找到未来热门的技术,然后给你一个课题去研究,平时耐心的辅导,遇到困难帮你分解困难,甚至教会你其中的细节如何处理,最后让你可以发表好文章,以优秀毕业生毕业。这样的老师在我看来不是好老师,而是误人子弟,因为没有让你学会自己如何去判断选择,自己如何去克服各种困难解决问题,这样的学生到工作中后就会发现自己的能力极弱,而学生时代的优秀又让他/她很难接受现实,往往难以获得满意的人生。
    因此你们来学校,主要目的不应该是找工作,或增长知识,或给老师做项目、发文章,而是提升自己的思维能力,实现能够独立分析问题,解决问题。参与项目,做科研写文章,只是实现目的的载体,而不是根本目的,不要迷失的本末倒置。
    由于我们国家的教育模式普遍还是:考试题目都有标准答案(甚至连阅读理解都只能让几亿人理解出一个标准答案)。因此,我国的学生已经习惯了拿别人(各种报刊书籍,领导讲话)的观点当作自己的观点,并以为自己真的就是这么想的,从而普遍丧失了独立思考能力,这也是我们民族近年来创新性较弱的根本原因。
    因此,我鼓励每一位同学去做自己感兴趣的研究,并通过科研活动作为载体,去锻炼自己独立思维和定义问题、解决问题能力。本小组鼓励学生毕业后出国,无论出去读博士还是出去工作,都能够提升同学们的人生视野,更充分认识世界,也有利于更好地认识自己,而这对每个人的一生都非常重要。如果不能走出去面对面的充份交流,哪怕在国内很努力去搜集各种新闻和报道,很努力从别人的角度去思考,还是难以客观地理解多维世界,因为只能以自己现有的思维去猜测,就如同人类画出的各种鬼怪都始终脱离不了人和动植物的形象一样,视野和思维的提升需要来自意外角度的碰撞,这就是“读万卷书不如行千里路”。

    最后,希望大家能够“因真理,得自由,以服务”,在视野和能力提升到一定程度后,我们无论在物质和精神层面,对生活对工作都拥有更大的自由,在自己获得较为满意生活的同时,要知道能力再强的人,离开社会不仅一事无成,生存都会成问题。我们“得自由”是幸运的,也更应该怀着感恩之心,利用自己“得真理”获得的视野和能力,利用自己“得自由”获得的相对自由的时间,服务社会。

发表的专著章节:

♦ Lining Zhang, Chenyue Ma, Xinnan Lin, Jin.He, Mansun Chan, “Chapter 11 Modeling FinFETs for CMOS Applications” in “Toward Quantum FinFET”, Published by Springer 2013;

♦ Xinnan Lin, Haijun Lou, Ying Xiao, Wenbo Wan, Lining Zhang, Mansun Chan, “Chapter: Silicon-Based Junctionless MOSFETs: Device Physics, Performance Boosters and Variations” in “Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges”, published by Springer Publisher, New York, USA, in press.

最近5年代表性论文列表:

1)  Hui Sun, Meihua Liu, Peng Liu, Xinnan Lin*, Xiaole Cui, Jianguo Chen, Dongmin Chen*,Performance optimization of lateral AlGaN/GaN HEMTs with cap gate on 150-mm silicon substrate, Solid-State Electronics,dx.doi.org/10.1016/j.sse.2017.01.006:28-32.

2)  Wei Chen, Kaiwen Li, Yao Wang, Xiyuan Feng, Zhenwu Liao, Qicong Su, Xinnan Lin*, Zhubing He*, Black Phosphorus Quantum Dots for Hole Extraction of Typical Planar Hybrid Perovskite Solar Cells, J. Phys. Chem. Lett., DOI: 10.1021/acs.jpclett.6b02843, 591-598.

3)  Ying Xiao, Xinnan Lin*, Haijun Lou*, Baili Zhang , Lining Zhang, Mansun Chan,”A Short Channel Double -Gate Junctionless Transistor Model Including the Dynamic Channel Boundary Effect”, IEEE TRANSACTION ELECTRON DEVICES, 2016, 63(12):4661-4667.

4)  “Hongyu He, Yuan Liu, Binghui Yan, Xinnan Lin, Shengdong Zhang, “Analytical Drain Current Model for Organic Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL.63,NO.11: 4423--4431.

5)  Yunpeng Dong, Lining Zhang*, Xiangbin Li, Xinnan Lin*, Mansun Chan*, A Compact Model for Double-Gate Heterojunction Tunnel FETs, IEEE Transactions on Electron Devices, VOL.63,NO.11: 4506-4513.

6)  Ying Xiao, Baili Zhang, Haijun Lou*, Lining Zhang, and Xinnan Lin*. A Compact Model of Subthreshold Current With Source/Drain Depletion Effect for the Short-Channel Junctionless Cylindrical Surrounding-Gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(5):2176-2181.

7)  Xinnan Lin*, Baili Zhang, Ying Xiao, Haijun Lou*, Lining Zhang*, and Mansun Chan. Analytical Current Model for Long-Channel Junctionless Double-Gate MOSFETs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63(3):959-965.

8)  Chenyue Ma, Lining Zhang*, Xinnan Lin*, Mansun Chan, Universal framework for temperature dependence prediction of the negative bias temperature instability based in microscope pictures, Japanese Journal of Applied Physics, 55(4):044201 1-6,April 2016.

9)  Dan Li, Baili ZhangA, Haijun Lou, Lining Zhang, Xinnan Lin, and Mansun Chan, Comparative Analysis of Carriers Statistics on MOSFET and Tunneling FET Characteristics, IEEE JEDS, vol 3,No 6, Nov. 2015, 447-451.

10) Haijun Lou, Baili Zhang, Dan Li, Xinnan Lin*, Jin He* and Mansun Chan, “Suppression of subthreshold characteristics variation for junctionless multigate transistors using high-k spacers”, Semicond. Sci. Technol. 30 (2015) 015008 (7pp).

11) Jian Chen, Hang Meng, Frank X.C.Jiang, Xinnan Lin*, A Snapback-Free Shorted-Anode Insulated Gate Bipolar Transistor with an N-path Structure, Superlattices and Microstructures, 2015:201-209.

12) Yihan Chen, Kit Chu Kwong, Xinnan Lin*, Zhitang Song, and Mansun Chan*, 3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2014/Vol 61, 4098-4104.

13) Haijun Lou, Dan Li, Yan Dong, Xinnan Lin*, JinHe*, Shengqi Yang and Mansun Chan, Suppression of tunneling leakage current in junctionless nanowire transistors, Semicond. Sci. Technol. 28 (2013) 125016 (6pp).

14) Haijun Lou, Dan Li, Yan Dong, Xinnan Lin*, Shengqi Yang, Jin He*, and Mansun Chan, Effects of Fin Sidewall Angle on Subthreshold Characteristics of Junctionless Multigate Transistors, Japanese Journal of Applied Physics 52 (2013) 104302.

15) Li Binghua, Frank X. C. Jiang, Li Zhigui, Lin Xinnan*, A trench accumulation layer controlled insulated gate bipolar transistor with a semi-SJ structure, Journal of Semiconductors, 2013/Vol.34/No.12.

16) Lining Zhang, Xinnan Lin*, Jin He*, and Mansun Chan*, "An Analytical Charge Model for Double-Gate Tunnel FETs", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 59, NO. 12, DECEMBER 2012.

17) Wei Yiqun, Lin Xinnan*, Jia Yuchao, Cui Xiaole,Zhang Xing and Song Zhitang, Contact size scaling of a W-contact phase-change memory cell based on numerical simulation, Journal of Semiconductors, VOL.33, NO.11,November 2012, 114006- 1-5.

18) Wei Yiqun, Lin Xinnan*, Jia Yuchao, Cui Xiaole,He Jin, Zhang Xing, A SPICE model for a phase-change memory cell based on the analytical conductivity model, Journal of Semiconductors, VOL.33, NO.11,November 2012, 114004- 1-5.

19) Haijun Lou, Lining Zhang, Yunxi Zhu, Xinnan Lin*, Shengqi Yang, Jin He* and Mansun Chan, “A Junctionless Nanowire Transistor With Dual-Material-Gate”, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 59, NO. 7, JULY 2012, PP 1829~1836.

20) Lin Li, Lining Zhang, Xinnan Lin*, Jin He, Chi On Chui and Mansun Chan*, Phase-Change Memory with Multi-Fin Thin-Film-Transistor Driver Technology,IEEE Electron Device Letters, VOL. 33, NO. 3, MARCH 2012,405-407.


微纳电子器件和集成技术实验室