• 刘晓彦

  • 职称:教授、博导
  • 电话:010-62756793
  • Email:xyliu@ime.pku.edu.cn
研究方向:1、新型半导体器件物理与结构, 模型,模拟; 2、计算微电子学,DFM。
导师与研究领域、方向:

    1988年毕业于北京大学计算机,分别于1991年和2001年于北京大学计算机系获得硕士和博士学位,现为北京大学微电子学系教授,副系主任。目前主要从事新型半导体器件物理与结构,半导体器件模型及其参数提取、模拟、计算微电子学等方面的研究工作。先后主持或参加了973、863、国家自然科学基金、国家重点科技攻关、教育部重点项目等多项国家级科研项目,并负责了与Fujitsu、Samsung等公司开展的多项国际合作项目,2006年入选教育部新世纪优秀人才支持计划。作为负责人开发了全能带半导体器件蒙特卡罗模拟软件和全流体动力学器件模拟软件,提出的电子隧穿势垒的蒙特卡罗模拟方法,提出的基于量子波尔兹曼方程的蒙特卡罗模拟方法,拓展了蒙特卡罗方法的应用范围。作为负责人,开发了通用的半导体器件特性参数及模型参数提取程序。合作出版著作2部,译著1部,发表论文百余篇,其中被SCI收录44篇,被EI收录55篇。
 

目前承担的主要科研项目:
1. 973项目课题:纳米尺度新结构器件理论及模型模拟研究

2. 自然科学基金课题:纳米尺度半导体器件中热的产生与输运问题研究

3. 教育部科学技术研究重点项目:新材料、新结构MOS器件的模型与模拟

4. 高等学校博士学科点专项科研基金 :电荷俘获型存储器的模型与模拟方法研究

5. 国际合作项目:三星公司


近5年来取得的主要成果:
1. He, YH; Hou, DQ; Liu, XY*; et al. Time-dependent transport in low-dimensional-systems - A numerical solution using the nonequilibrium Green's functions IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 6 (1): 56-62 JAN 2007

2. He, YH; Hou, DQ; Liu, XY*; et al. AC conductance of finite-length carbon nanotubes, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 18 (39): 8707-8713 OCT 4 2006

3. Du, G; Liu, XY*; Xia, ZL; et al. Monte Carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum Boltzmann equation, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 52 (10): 2258-2264 OCT 2005

4. Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang, Ruqi Han, Direct Tunneling Current Model for MOS Devices with Ultra-thin Gate Oxide Including Quantization Effect and Polysilicon Depletion Effect, Solid State Communication, Vol.125 (3-4), 2003, 219-223

5. Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang; Lei Sun, Ruqi Han. Threshold Voltage Model for MOSFETs with High-K Gate Dielectrics IEEE Electron Device Lett. Vol.23, No.8, 2002,270

对计划招收研究生的基本要求:

1) 专业范围:微电子、物理、数学;

2) 外语/数学能力:较强;

3) 研究/开发能力:不限;

4) 其他要求:一定的编程能力和较好的团队合作精神。