• 陆磊

  • 职称:助理教授
  • 电话:0755-2603 3149
  • Email:lulei@pku.edu.cn
研究方向:1、薄膜晶体管;2、先进显示;3、柔性电子及传感器。

导师与研究领域、方向:

北京大学深圳研究生院,助理教授、博士生导师。国际电气与电子工程师学会IEEE会员,国际信息显示学会SID会员。苏州大学微电子系学士及硕士(导师:王明湘教授),香港科技大学电子及计算机工程系博士(导师:王文 教授)。2015年至2017年,任香港科大电子计算机工程系研究员、赛马会-香港科大高等研究院Postdoctoral Fellow(合作教授:郭海成 院士)。2017年至2019年,任香港科大研究助理教授,同时荣聘为高等研究院Junior Fellow(合作教授:邓青云 院士)。2019年6月起加入北京大学深圳研究生院,研究领域包括:半导体器件,如金属氧化物薄膜晶体管;先进显示技术,如超高像素密度的OLED蒸镀罩;柔性电子及传感器系统,如基于金属氧化物半导体的柔性传感器系统。已在知名国际期刊和会议上发表论文70余篇(SCI论文20篇),已申请中、美、国际专利21项(授权8项)。

讲授的课程:

超大规模集成电路工艺

近年来取得的主要成果:

Selected Papers

1. L. Lu, J. Li, H. Kwok, and M. Wong, “High-Performance and Reliable Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistor for High-Resolution Displays,” IEEE Int. Electron Device Meet. (IEDM), San Francisco, pp. 802–805, Dec. 2016. (国际最顶级微电子学会议)

2. L. Lu#*, Z. Feng#, S. Wang, J. Li, Z. Xia, H. Kwok, and M. Wong, “Fluorination-Enabled Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-Mode Indium-Gallium-Zinc Oxide TFT,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, pp. 692–695, 2018.

3. L. Lu*, Z. Xia, J. Li, Z. Feng, S. Wang, H. Kwok, and M. Wong, “A Comparative Study on Fluorination and Oxidation of Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 2, pp. 196–199, 2018.

4. L. Lu, J. Li, H. S. Kwok, and M. Wong*, “Elevated-Metal Metal-Oxide (EMMO) Thin-Film Transistor: Technology and Characteristics,” IEEE Electron Device Lett., vol. 37, no. 6, pp. 728–730, 2016.

5. L. Lu, J. Li, and M. Wong*, “Thermally Induced Variation of the Turn-ON Voltage of an Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 11, pp. 3703–3708, 2015.

6. L. Lu* and M. Wong*, “A Bottom-Gate Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistor With an Inherent Etch-Stop and Annealing-Induced Source and Drain Regions,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 62, no. 2, pp. 574–579, 2015.

7. L. Lu*, J. Li, and M. Wong, “A Comparative Study on the Effects of Annealing on the Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors with Gate-Stacks of Different Gas-Permeability,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 8, pp. 841–843, 2014.

8. L. Lu* and M. Wong*, “The Resistivity of Zinc Oxide Under Different Annealing Configurations and Its Impact on the Leakage Characteristics of Zinc Oxide Thin-Film Transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 61, no. 4, pp. 1077–1084, 2014.

9. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “A New Observation of the Elliot Curve Waveform in Charge Pumping of Poly-Si TFTs,” IEEE Electron Device Lett., vol. 32, no. 4, pp. 506–508, 2011.

10. L. Lu, M. Wang*, and M. Wong, “Geometric Effect Elimination and Reliable Trap State Density Extraction in Charge Pumping of Polysilicon Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 30, no. 5, pp. 517–519, 2009.

Selected Patents

1. 陆磊,孙梽博,夏之荷,施闰霄,王文,郭海成,液晶显示面板及其制作方法以及显示设备中国发明专利申请201910388622.9,2019年5月10日。

2. 陆磊,夏之荷,李佳鹏,王文,郭海成,显示面板及其制作方法以及显示设备中国发明专利申请201910388640.7,2019年5月10日。

3. 陆磊,周玮,王文,郭海成,Integration of Silicon Thin-Film Transistors and Metal-Oxide Thin-Film Transistors美国专利申请15/889,995,2017年2月20日。

4. 李佳鹏,陆磊,王文,郭海成, 一种薄膜晶体管和显示器面板中国实用新型专利ZL 2017 2 1522557.7授权,2017年11月15日。

5. 陆磊,王文,郭海成,一种薄膜晶体管及制造方法和显示器面板中国发明专利201610964470.9授权,2016年10月28日。

6. 陆磊,王文,郭海成,一种电路结构及制作方法和显示器面板中国发明专利201610964428.7授权,2016年10月28日。

7. 陆磊,王文,郭海成, 一种薄膜晶体管和显示器面板中国实用新型专利ZL 2016 2 1191789.3授权,2016年10月28日。

8. 陆磊,王文,郭海成,一种薄膜晶体管和显示器面板中国实用新型专利ZL 2016 2 1190870.0授权,2016年10月28日。

9. 陆磊,王文,郭海成,一种显示器面板中国实用新型专利ZL 2016 2 1188654.2授权,2016年10月28日。

10. 陆磊,王文,郭海成,METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH SOURCE AND DRAIN REGIONS DOPED AT ROOM TEMPERATURE美国专利9,960,281授权,2015年2月9日。

11. 陆磊,王文,郭海成,METAL OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH CHANNEL , SOURCE AND DRAIN REGIONS RESPECTIVELY CAPPED WITH COVERS OF DIFFERENT GAS PERMEABILITY美国专利10,032,924授权,2014年3月31日。

对计划招收研究生的基本要求:
1、专业范围: 微电子学,物理,电子信息科学与技术;
2、外语能力:英文六级或托福80、雅思6.0以上;
3、具有独立思考和勤奋坚韧的品格,对探索知识的边界、解决工程的挑战感兴趣。