• 张冠张

  • 职称:助教授
  • 电话:0755-26033013;办公室:A314
  • Email:kcchang@pkusz.edu.cn
研究方向:超临界流体与存储器等。

导师研究方向:

张冠张博士近年来致力于超临界流体技术应用于电子组件与物理机制探讨。近年的研究主题包含1. 首创超临界流体技术应用于电子组件、2. 电阻式内存;研究主题不仅致力于创新性,并且有多项应用技术突破,透过各种材料分析与电性量测技术,达到超临界流体于电子材料领域创新应用之目标。

代表性著作、论文:

1. T. C. Chang, K. C. Chang, T. M. Tsai, T. J. Chu, and Simon M. Sze, “Resistance Random Access Memory”, Materials Today, 19(5), 254-264, 2016. (SCI, IF: 17.8,7次引用, 本人负责整理编撰。)
2. K. C. Chang, R. Zhang, T. C. Chang, T. M. Tsai, J. C. Lou, J. H. Chen, T. F. Young, M. C. Chen, Y. L. Yang, Y. C. Pan, G. W. Chang, T. J. Chu, C. C. Shih, J. Y. Chen, C. H. Pan, Y. T. Su, Y. E. Syu, Y. H. Tai, and Simon M. Sze, “Origin of Hopping Conduction in Graphene-Oxide-Doped Silicon Oxide Resistance Random Access Memory Devices”, IEEE Electron Device Lett., 34(5), 677-679, 2013. (SCI, IF: 2.53, 42次引用, SCI高被引用论文)
3. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, J. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, T. J. Chu, G. R. Liu, Y. T. Su, M. C. Chen, J. H. Pan, J. Y. Chen, C. W. Tung, H. C. Huang, Y. H. Tai, D. S. Gan, Simon M. Sze, “Characteristics and Mechanisms of Silicon Oxide Based Resistance Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett. , 34(3), 399-401 (2013). (IF: 2.53). (SCI, IF: 2.53,39次引用)
4. K. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, T. C. Chang, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, J. C. Lou , T. J. Chu, C. C. Shih, J. H. Pan, Y. T. Su, Y. E. Syu, C. W. Tung, M. C. Chen, J. J. Wu, Y. Hu, S. M. Sze, “Electrical Conduction Mechanism of Zn:SiOx Resistance Random Access Memory with Supercritical CO2 Fluid Process”, Appl. Phys. Lett. 103, 083509, 2013. (SCI, IF: 3.14,28次引用)
5. K. C. Chang, C. H. Pan, T. C. Chang, T. M. Tsai, R. Zhang, J. C. Lou, T. F. Young, J. H. Chen, C. C. Shih, T. J. Chu, J. Y. Chen, Y. T. Su, J. P. Jiang, K. H. Chen, H. C. Huang, Y. E. Syu, D. S. Gan, Simon M. Sze, “Hopping Effect of Hydrogen-doped Silicon Oxide Insert RRAM by Supercritical CO2 Fluid Treatment”, IEEE Electron Device Lett., 34(5), 617-619, 2013. (SCI, IF: 2.53,28次引用)
6. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, Senior Member, IEEE, H. H. Wu, K. H. Chen, J. H. Chen, T. F. Young, T. J. Chu, J. Y. Chen, C. H. Pan, Y. T. Su, Y. E. Syu, C. W. Tung, G. W. Chang, M. C. Chen, H. C. Huang, Y. H. Tai, D. S. Gan, J. J. Wu, Y. Hu, and Simon M. Sze, “Low Temperature Improvement Method on Zn:SiOx Resistive Random Access Memory Devices”, IEEE Electron Device Lett., 34(4), 511-513, 2013. (SCI, IF: 2.53,23次引用)
7. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, K. H. Chen, R. Zhang, Z. Y. Wang, J. H. Chen, T. F. Young, M. C. Chen, T. J. Chu, S. Y. Huang, Y. E. Syu, D. H. Bao,; S. M. Sze, “Dual Ion Effect of the Lithium Silicate Resistance Random Access Memory”, IEEE Electron Device Lett., 35(5), 530-532, 2014. (SCI, IF: 2.53,25次引用)
8. K. C. Chang, J. H. Chen, T. M. Tsai, T. C. Chang, S. Y. Huang, R. Zhang, K. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, T. J. Chu, G. R. Liu, Y. T. Su, M. C. Chen, J. H. Pan, K. H. Liao, Y. H. Tai, T. F. Young, S. M. Sze, C. F. Ai, M. C. Wang, J. W. Huang, “Improvement mechanism of resistance random access memory with supercritical CO2 fluid treatment”, J. Supercrit. Fluids, 85, 183-189, 2014. (SCI, IF: 2.58,14次引用)
9. K. C. Chang, T. C. Chang, T. M. Tsai1, R. Zhang, Y. C. Hung, Y. E. Syu, Y. F. Chang, M. C. Chen, T. J. Chu, H. L. Chen, C. H. Pan, C. C. Shih, J. C. Zheng and S. M. Sze, “Physical and Chemical Mechanisms in Oxide-based Resistance Random Access Memory”, Nanoscale Res. Lett., 10, 120, 2015. (SCI, IF: 2.58,25次引用)
10. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, R. Zhang, K. H. Chen, J. H. Chen, M. C. Chen, H. C. Huang, W. Zhang, C. Y. Lin, Y. T. Tseng, H. C. Lin, J. C. Zheng, and S. M. Sze, “Improvement of Resistive Switching Characteristic in Silicon Oxide-Based RRAM Through Hydride-Oxidation on Indium Tin Oxide Electrode by Supercritical CO2 Fluid”, IEEE Electron Device Lett., 36(6), 558-560, 2015. (SCI, IF: 2.53,7次引用)